L’Italia firma il primo transistor in Silicene per nanotecnologie

Grazie alla sua straordinaria possibilità di miniaturizzazione, la nano elettronica potrà fluirne per aprire e migliorare gli orizzonti tecnologici finora conosciuti nel campo dei dispositivi digitali. Con la nascita del primo TRANSISTOR in SILICENE, si è così raggiunto un nuovo obiettivo che cambierà il modo di approcciare la scienza, in tutto il mondo. E la firma, ancora una volta, è del CNR italiano.
Il successo è infatti tutto dell’Istituto di microelettronica e microsistemi del Consiglio Nazionale delle Ricerche di Agrate Brianza (MB), diretto da Alessandro Molle, in collaborazione con l’Università del Texas, che ha sede ad Austin, capeggiato da Deji Akinwande.
“La complessità del silicene e la gestione del supporto metallico finora avevano rappresentato un ostacolo insormontabile per concretizzare l’integrazione dello strato monoatomico di silicene in dispositivi” ha commentato il Direttore Molle.
Estrarre il silicene dal proprio supporto, per i ricercatori non è, in effetti, stata cosa semplice: il processo necessario è avventuto il due step dai procedimenti alquanto ardimentosi. Ma alla fine il silicene è riuscito a diventare un vero e proprio canale di trasporto di carica di un transistor. In sostanza un conduttore elettrico.
“Nonostante dopo qualche minuto di esposizione il silicio sia degradato in aria, per la prima volta abbiamo dimostrato l’evidenza elettrica del silicene e questo apre a soluzioni nanotecnologiche sempre più sofisticate, quali dispositivi digitali sempre più sottili e veloci”, ha chiosato Alessandro Molle.
La scoperta è avvenuta nell’ambito del progetto europeo “2D-Nanolattices” e col finanziamento “Laboratori congiunti” di Cnr.
                                                                                                             Silva BOS

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